主营：
视觉检测/UV固化光源、液体自动化控制设备、防静电系统/部品、进口环境检测仪、工业测量仪器仪表
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简单介绍：
美国埃赛力达1064nm长波长增强型硅APD使用双扩散“穿通"结构制作了1064nm长波长增强型硅APD（C30954 EH、C30955EH和C30956EH）。这些光电二极管的设计增强了它们的长波响应（即>900nm），并且没有产生任何**影响
详情介绍：
美国埃赛力达1064nm长波长增强型硅APD
美国埃赛力达1064nm长波长增强型硅APD
C30954EH长波长增强型硅雪崩光电二极管(Si APD)提供0.8 mm的感光面直径和在1060 nm处的高量子效率。采用TO-5封装设计，这种Si APD使用双扩散“穿透式"结构制成。其>900 nm的长波响应经过了增强，不会产生任何**影响。
C30956EH大面积、长波长、增强型硅雪崩光电二极管(Si APD)提供3 mm感光面直径，在1060 nm具有高量子效率。这种Si APD采用TO-8封装设计，使用双扩散“穿透式"结构制成。其>900 nm的长波长响应经过了增强，不会产生任何**影响。
功能与优点：
0.8mm感光直径
1060 nm波长处具有高量子效率
快速响应时间
较宽的工作温度范围
低结电容
气密封装
符合RoHS标准
提供TEC选项
应用领域：
测距
LiDAR
YAG激光探测
感光面积：0.5 mm²
感光直径：0.8 mm
击穿电压: >300, 375, <475 V
电容：2pF
暗电流：50nA
增益：120
噪声电流：1 pA/√Hz
封装：TO-5
峰值灵敏度波长：900 nm
响应度：
在900 nm处为75 A/W
在1050 nm处为36 A/W
在1150 nm为5 A/W
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