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  • 产品名称：美国埃赛力达二极管C30724EH—硅APD

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  • 产品厂商：美国Excelitas埃赛力达
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美国埃赛力达二极管C30724EH—硅APDC30724EH硅雪崩光电二极管（Si APD）采用金属TO封装，提供920 nm的峰值灵敏度和低温系数。
详情介绍：

美国埃赛力达二极管C30724EH—硅APD

美国埃赛力达二极管C30724EH—硅APD

C30724EH硅雪崩光电二极管（Si APD）采用金属TO封装，提供920 nm的峰值灵敏度和低温系数。

C30724系列APD在800至950 nm的波长范围内具有高响应度，上升和下降时间约为5 ns，下降时间无“拖尾"特征。该系列APD非常适合大体积905 nm激光测距应用，可在固定电压下工作，无需温度补偿。C30724EH的特别之处是采用气密TO-18金属封装。

主要特性：


采用金属TO罐体封装带905 nm滤光片的Si APD

5 ns上升+下降时间-无拖尾

低放大倍数下运行

无需温度补偿


关键应用：


激光测距

激光测距仪

交通测速枪


感光面积：0.2mm2

感光直径：0.5 mm

击穿电压：350V

电容：1 pF

暗电流：20 nA

增益：>12、15、<18

噪声电流：0.1pA/√Hz

封装：TO-18

峰值灵敏度波长：920 nm

光敏直径：0.5 mm

光敏直径：0.5 mm

响应度：在920 nm处为8.5 A/W

上升/下降时间：5 ns

总暗电流（基板+表面）：20 nA

工作电压范围：150-200 V

波长：400-1100nm

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