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  • 产品名称:美国埃赛力达光电二极管高性能Si APD

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  • 产品厂商:美国Excelitas埃赛力达
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简单介绍:
美国埃赛力达雪崩光电二极管高性能Si APD对于需要以高速和低噪声进行从400 nm到1100 nm的光子检测的应用,高性能的后入“穿透式"硅APD在成本和性能方面提供了*佳折衷方案。这些硅APD具有低噪声、高量子效率和高增益的特点,同时保持了相当低的工作电压。感光面积从0.5 mm到3 mm不等。
详情介绍:

美国埃赛力达雪崩光电二极管高性能Si APD

美国埃赛力达雪崩光电二极管高性能Si APD

高响应度、低噪声直通式SPAD

C30902SH系列硅基SPAD提供极低的噪声和大容量暗电流,可实现性能的数据和距离测量。特别适用于超低光水平检测应用(例如单光子计数和量子通信),并且适用于小于1 pW的光功率。C30902SH-TC可用于线性模式(VOP <vbd< sub="" style="box-sizing: border-box; font-style: inherit;">),典型增益为250或以上,或用于“盖革"模式 (VOP > VBD),具有极低且稳定的暗计数率和脉冲后比率。在这种模式下,不需要放大器,并可能实现高达约50%的单光子检测概率。要获得更高性能,这些高性能SPAD可配备单级或双级热电冷却器。

功能与优点:


采用TO-66法兰外壳的0.5 mm Si APD

高量子效率 - 800 nm下通常为84 %

-20 °C下的极低噪声

高响应度:内部雪崩增益>250

光谱响应范围 - 400 nm - 1100 nm

响应时间:0.4 ns(典型值)

宽广的操作温度范围,-40 °C到+ 85 °C

内置TE冷却器选项


应用领域:


LiDAR / ToF测量

量子通讯

光子计数

光时域反射仪(OTDR)

激光扫描

  • 感光面积:0.2 mm²

感光面积:0.2 mm²

感光直径:0.5 mm

击穿电压:225 V(典型值)

电容:1.5 pF(典型值)

温度系数:0.7 V/°C(典型值)

暗电流:1 nA

暗噪声:0.02 pA/√Hz

等效噪声功率:0.15 fW/√Hz

典型响应度:800 nm下为135 A/W

推荐增益:250

封装:TO-66,法兰外壳

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